Συγκρότημα κριού μεταβλητής οπής τύπου Shaffer

Τα έμβολα μεταβλητής οπής τύπου S (VBR) σφραγίζονται σε διάφορα μεγέθη σωλήνα ή εξαγωνικό Kelly. Ο συσκευαστής κριαριού μεταβλητής οπής περιέχει ενισχυτικά ένθετα από χάλυβα. Τα ένθετα περιστρέφονται προς τα μέσα όταν τα έμβολα είναι κλειστά, έτσι ο χάλυβας παρέχει στήριξη για το καουτσούκ που σφραγίζει στον σωλήνα. Το μεταβλητό έμβολο μπορεί να χρησιμοποιηθεί για τη σφράγιση διαφορετικών διαμέτρων κορδονιού σωλήνα. Το μεταβλητό έμβολο αποτελείται από μεταβλητό έμβολο, επάνω σφράγιση και μεταβλητή μπροστινή σφράγιση. Η εγκατάσταση της μεταβλητής μνήμης RAM στο BOP είναι η ίδια με την κοινή μνήμη RAM, δεν χρειάζεται να αλλάξετε κανένα μέρος του BOP. Τύπος S Variable Bore Rams (VBR) παρέχει μια δυναμική λύση για την επίτευξη ασφαλούς και ασφαλούς στεγανοποίησης γύρω από διάφορα μεγέθη και σχήματα σωλήνων. Η ευέλικτη σχεδίαση και η καινοτόμος δομή του VBR επιτρέπουν μεγαλύτερη προσαρμοστικότητα και ευελιξία στις λειτουργίες, καθιστώντας το ζωτικής σημασίας προσθήκη σε κάθε εξοπλισμό γεώτρησης.

Κάθε εξάρτημα του VBR, από τα ενισχυτικά ένθετα από χάλυβα έως τις υψηλής ποιότητας στεγανοποιήσεις του, έχει σχεδιαστεί σχολαστικά για να εξασφαλίζει μέγιστη απόδοση και ανθεκτικότητα. Οι συσκευαστές, ενισχυμένοι με χάλυβα, παρέχουν στιβαρή στήριξη και εξαιρετική ικανότητα σφράγισης, εξασφαλίζοντας καλή ακεραιότητα ακόμη και υπό συνθήκες υψηλής πίεσης.

Η απλότητα της διαδικασίας εγκατάστασης του VBR το ξεχωρίζει, προσφέροντας απρόσκοπτη ενσωμάτωση στις υπάρχουσες ρυθμίσεις BOP χωρίς την ανάγκη τροποποιήσεων. Αυτό μεταφράζεται σε μειωμένο χρόνο διακοπής λειτουργίας και αυξημένη λειτουργική απόδοση.

Επιπλέον, ο τύπος S VBR επιδεικνύει εξαιρετική ανθεκτικότητα στις σκληρές συνθήκες διάτρησης. Ο σχεδιασμός του του επιτρέπει να σφραγίζει αποτελεσματικά ποικίλες διαμέτρους σωλήνων, παρέχοντας ευελιξία και αξιόπιστο έλεγχο σε δυναμικά περιβάλλοντα διάτρησης. Αυτή η προσαρμοστικότητα τοποθετεί τον τύπο S VBR ως απαραίτητο στοιχείο για τη διατήρηση της λειτουργικής ασφάλειας και αποτελεσματικότητας.